Cavo d'acciaio dell'armatura del nastro di tensione del rame dell'isolamento medio del conduttore XLPE

Prodotto in dettaglio

Informazioni di Base

Applicazione: Cantiere , Sotterraneo , Industriale , Centrale elettrica

Voltaggio: Cavo a bassa tensione e media

Materiale di isolamento: XLPE

Materiale della guaina: PVC

Forma Materiale: Filo tondo

Wire Materiale del centro: Red Copper Wire

Certificazione: ISO , CCC , CE

Informazioni Aggiuntive.

Marchio:Yifang

Imballaggio:Wooden Drum, Steel Drum or Steel-Wooden Drum etc.

Origine:China

Codice SA:8544601200

Capacità di Produzione:50, 000km Per Year

Descrizione del prodotto

Cavo d’acciaio dell’armatura del nastro di tensione del rame dell’isolamento medio del conduttore XLPE

Applicazione: Questi prodotti fanno domanda per il trasporto di energia e la riga di distribuzione a tensione valutata CA fino a 46kV.

Standard applicabili: IEC60502, BS6622, SANS1339, AS/NZS1429.1, VDE DI BACCANO 0276-626, NFC 33-226, IEC60840, ICEA S-93-639. ICEA S-94-649

Portata di produzione:
a) Standard nazionale

Tensione Rated (chilovolt)		3.6/6	6/6	6/10	8.7/10	8.7/15	12/20	18/20	18/30	21/35	26/35
Numero di memoria		1core o 3cores
Cross-section millimetro²	1C	25-800			35-800
	3C	25-400			35-400

b) Standard di IEC/BS/DIN /GB

Tensione Rated (chilovolt)

3.6/6

3.8/6.6

6/10

6.6/11

8.7/15

12/20

12.7/22

15/20

15/25

18/30

19/33

20.8/36

Numero di memoria

1core o 3cores

Cross-section
millimetro²

25-800

35-800

25-400

35-400

c) ICEA standard

Tensione Rated (v)		5001-8000	8001-15000	15001-25000	25001-28000	28001-35000	35000-46000
Numero di memoria		1Core 3Core
Cross-section Orkcmil dell’AWG	1C	6AWG~ 1600kcmil	2AWG~ 1600kcmil	1AWG~1600kcmil		2AWG~ 1600kcmil	1/0AWG~ 1600kcmil
Cross-section Orkcmil dell’AWG	3C	6AWG~800kcmil	2AWG~800kcmil	1AWG~800kcmil		2AWG~800kcmil	4/0AWG~ 800kcmil

Costruzione:
Conduttore: IEC60228 rame dell’orso del codice categoria 2 del codice categoria 1/alluminio ecc
Schermo di conduttore: Residuo semiconduttore
Isolamento: XLPE
Schermo di isolamento: Residuo semiconduttore
Memoria: 1core o 3cores
Schermo: Nastro del rame tape/AL-Plastic del collegare di rame
Fodero interno (facoltativo): PE LSZH DEL PVC
Corazzato (facoltativo): Collegare di alluminio galvanizzato/due strati del filo di acciaio/di Alluminio tapegap-spostato strati di /Two del nastro d’acciaio spacco-spostati /Ha galvanizzato l’armatura collegata lega di alluminio/dell’armatura collegata l’acciaio
Fodero esterno: PE LSZH DEL PVC

Certificati:

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