Cavi medi di memoria del cavo tre di tensione in BS 6622/BS 7835
Prodotto in dettaglio
Informazioni di Base
Model No.:MV cable
Applicazione: Cantiere , Industriale , Centrale elettrica
Voltaggio: Cavo a bassa tensione e media
Corrente: DC & AC
Materiale di isolamento: XLPE
Forma Materiale: Filo tondo
Wire Materiale del centro: Filo di rame
Certificazione: ISO , CCC
Informazioni Aggiuntive.
Marchio:yifang
Imballaggio:Steel Wooden Drum
Standard:25mm2 to 400m2
Origine:China
Codice SA:8544492100
Capacità di Produzione:10000m Per Week
Descrizione del prodotto
APPLICAZIONI
I tre cavi di memoria sono progettati per distribuzione di corrente elettrica con tensione nominale Uo/U che varia da 3.6/6.6KV a 19/33KV ed alla frequenza 50Hz.
Sono adatti ad installazione principalmente nelle stazioni dell’alimentazione elettrica, all’interno e nei canali per cavi, all’aperto, metropolitana ed in acqua così Come per installazione sui vani per cavi per le industrie, i centralini e le centrali elettriche
STANDARD
- Le BS 6622
- Le BS 7835 (versione di LSZH)
| onductor | Plain di rame temprato o l’alluminio che aderisce all’IEC 60228/BS 6360. I conduttori di rame saranno incagliati (codice categoria 2) ed i conduttori di alluminio saranno solidi o incagliati (codice categoria 2) |
| Schermo di conduttore | Lo strato sporto del residuo reticolato semiconduttore è Applicato sopra il conduttore e riguarderà La superficie completamente. Lo spessore minimo è 0.3mm e la resistività Massima non supererà 500 Ohm-m. A 90° C. |
| Isolamento | L’isolamento è Del residuo unito con legami atomici incrociati XLPE (GP8) del polietilene adeguatamente alle BS 7655-1.3 o al EPR (GP7), adeguatamente alle BS 7655-1.2. |
Spessore dell’isolamento della tabella 1.
| Nom. Zona cross-section | Spessore dell’isolamento a tensione nominale | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 3.8/6.6KV (Um=7.2KV) | 6.35/11KV (Um=12KV) | 8.7/15KV (Um=17.5KV) | 12.7/22KV (Um=24KV) | 19/33KV (Um=36KV) | |
| mm^2 | millimetro | millimetro | millimetro | millimetro | millimetro |
| 70 – 185 | 2.5 | 3.4 | 4.5 | 5.5 | 8.0 |
| 240 | 2.6 | 3.4 | 4.5 | 5.5 | 8.0 |
| 300 | 2.8 | 3.4 | 4.5 | 5.5 | 8.0 |
| 400 | 3.0 | 3.4 | 4.5 | 5.5 | 8.0 |
| Superiore a 500 | 3.2 | 3.4 | 4.5 | 5.5 | 8.0 |
| Schermo di Insulaton | Lo strato sporto del residuo reticolato semiconduttore è Applicato sopra l’isolamento. Lo strato semiconduttore sporto consisterà Del residuo semiconduttore strippable legato o freddo capace di rimozione per congiungere o terminare. Come opzione, un nastro semiconduttore può Essere applicato sopra lo strato semiconduttore sporto come assestamento per lo strato metallico. Lo spessore minimo è Di 0.3 millimetri e la resistività Massima è Di 500 Ohm-m. A 90° C. Lo schermo misura strettamente all’isolamento per escludere tutti i vuoti dell’aria e può Essere facilmente passa messo a nudo sul luogo |
| Copertura & Riempitori interni | Per i cavi con uno strato metallico collettivo o i cavi con uno strato metallico sopra le memorie di ogni individuo con gli strati metallici collettivi supplementari, la copertura ed i riempitori interni semiconduttori saranno applicati sopra posto sulle memorie. La copertura interna è Fatta di materiale non-igroscopico, tranne se il cavo deve essere reso longitudinalmente a tenuta d’acqua. La copertura interna si sporgerà O avvolta |
Lo spessore approssimativo delle coperture interne sporte è Dato in tabella 2:
Spessore approssimativo della tabella 2. Delle coperture interne sporte
| Diametro di Ficititous sopra posto sulle memorie | Approssimativamente Thickress della copertura interna sporta | |
|---|---|---|
| millimetro | millimetro | |
| > | < | |
| 35 | 45 | 1.0 |
| 25 | 35 | 1.2 |
| 35 | 45 | 1.4 |
| 45 | 60 | 1.6 |
| 60 | 80 | 1.8 |
| 80 | – | 2.0 |
lo spessore approssimativo del *The delle coperture interne avvolte sarà 0.6mm.
| Strato metallico | Lo strato metallico sarà Applicato sopra ogni memoria o applicato come schermo collettivo. Lo schermo metallico consisterà Dei nastri del rame o di uno strato concentrico dei collegare di rame o di una combinazione di nastri e di collegare. Lo strato metallico fornisce un percorso della corrente di errore della terra, capace di resistenza della corrente di errore a terra di 1000A per un secondo ai collegare di rame massimi di temperatura 160° C. è Applicato sopra l’acqua di conduzione che ostruisce lo strato con un diametro minimo di 0.5mm. E sopra i collegare di rame, il nastro di rame con uno spessore minimo di 0.1mm può Applicarsi elicoidale con la sovrapposizione |
La sezione trasversale di totale dello schermo di collegare di rame è Indicata in tabella 3:
Sezione trasversale totale minima della tabella 3. Dello schermo di collegare di rame & Resistenza di CC dello schermo
| Zona Cross-Section nominale di cavo | Sezione trasversale minima di zona di schermo del collegare di rame | Resistenza di CC dello schermo di collegare di rame |
|---|---|---|
| mm^2 | mm^2 | millimetro |
| fino a 120 | 16 | 1.06 |
| 150-300 | 25 | 0.72 |
| 400-630 | 35 | 0.51 |
| Fodero di separazione (per cavo corazzato) | Il fodero di separazione contiene uno strato il PVC, il PE o LSZH sporto. Lo spessore nominale è Calcolato da 0.02Du + 0.6mm dove il Du è Il diametro fittizio sotto il fodero in millimetro. Lo spessore nominale del fodero di separazione non sarà Di meno che 1.2mm. |
| Armatura (per cavo corazzato) | L’armatura consiste del filo di acciaio galvanizzato applicato sopra la copertura interna con il diametro specificato come in tabella 4. |
Diametro di collegare dell’armatura della tabella 4.
| Diametro di Fictitiious sotto l’armatura | Diametro di collegare dell’armatura | |
|---|---|---|
| millimetro | millimetro | |
| > | < | |
| 25 | 1.6 | |
| 25 | 35 | 2.0 |
| 35 | 60 | 2.5 |
| 60 | – | 3.15 |
| Sopra il fodero | Il fodero generale contiene uno strato si è Sporto tipo 9 del PVC adeguatamente al tipo TS2 delle BS 7665-4.2 o di MDPE adeguatamente alle BS 7655-10.1; LSZH può Essere offerto come opzione. Il fodero eccessivo è Normalmente nero a colori. Quando una prova di tensione di CC deve essere effettuata sul fodero eccessivo, uno strato semiconduttore quale il rivestimento della grafite sarà Applicato sopra la superficie del sporto sopra il fodero. Il termine nominale sopra spessore del fodero è Calcolato da 0.035+D dove la D è Il diametro immediatamente sotto il fodero eccessivo in millimetro. Per i cavi con il fodero eccessivo non applicato sopra l’armatura, il termine nominale sopra spessore del fodero non sarà Meno di 1.4mm. E per i cavi con il fodero eccessivo ha fatto domanda sopra l’armatura, il termine nominale sopra spessore del fodero non sarà Di meno che 1.8mm. |
PROPRIETÀ FISICHE
| Temperatura di funzionamento | fino a 90° C |
| Gamma di temperature | – 5° C (fodero di LSZH o del PVC); -20° C (fodero del PE) |
| Temperatura di cortocircuito | 250° C (durata di cortocircuito fino a 5 secondi) |
| Raggio di piegamento | 15 x OD |
Tensioni nominali di /Operating /Test della tabella 5.
| Tensione Rated Uo/U | Tensione di gestione (Um) | Tensione di prova (rms) |
|---|---|---|
| 3.8/6.6KV | 7.2KV | 15KV |
| 6.35/11KV | 12KV | 25.5KV |
| 8.7/15KV | 17.5KV | 35KV |
| 12.7/22KV | 24KV | 51KV |
| 19/33KV | 36KV | 76KV |
Tre memoria 3.8/6.6KV (Um=7.2KV)
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